不久前，华为刚刚发布了一款全新的Mate60系列旗舰手机，麒麟9000S国产芯片横空出世，它不但让国人欣喜，更让苦心积虑制裁和封锁中国的美国“心态崩了”。
尽管有关这颗芯片背后的很多秘密依然不为人所知，尤其是代工厂，技术路线等，但普遍认为正是由同样被制裁的中芯国际代工。经过多家国际实验室与检测机构对其进行分析后发现，麒麟9000s芯片工艺范围介于14nm至5nm之间，并且没有使用先进 EUV光刻技术。
尽管没有应用EUV技术，却在提升芯片性能和制程工艺稳定性方面表现出色，麒麟9000s还是全球首款加入超线程（8核12线程）技术的手机处理器，类似于发动机上了涡轮增压技术了，这也是非常牛的。这一成就不仅彰显了华为自主研发能力的不断增强，也实现了中国半导体产业的战略目标。
由于官方没有公布，目前有关麒麟9000s的确切工艺制程与代工厂商仍是迷，有被认为是7nm制程，但也有说是5nm。而对于光刻机，ASML早已经被禁止销售最先进的EUV光刻机给中国，尤其是中芯国际，使得国内要制造7nm以下先进工艺非常困难。正是在这种艰难环境下，中国芯片能够取得重大突破，无疑是令人振奋的。
有外媒最新评论称，麒麟9000S的诞生，是对美国的一个重大威胁，而能在美国拼命“卡脖子”的情况下完全自主造出完整的一颗智能手机芯片，是无与伦比的成就。
这也使得中国在先进半导体工艺上只落后美国4年，但性能只落后2年多。而美国的封锁原本希望这一差距能保持在最多10年，更何况中国还在开发更先进的芯片，差距只会进一步缩短。
外媒称，从2014年到2030年，中国在半导体上的累计投入将超过1500亿美元，最终目标是在智能手机、自动驾驶、计算机等产品中实现70％的芯片自主。
ASML CEO Peter Wennink也逐渐改变了态度，从早先坚定地认为中国不可能造出先进光刻机，改口为完全孤立中国是没有希望的，不分享技术他们就会自己去研究。
他说：“中国有14亿人，而且聪明人很多，他们能想到我们未想到的解决方案。我们是在迫使他们提升创新能力。他们做事更努力、更专注、更快。而我们太自以为是了。”
从光刻机巨头CEO对中国芯片的态度的变化，可以侧面的看出，国产芯片这几年技术突破突飞猛进，大大超出了西方国家的预期。从华为Mate60系列的火爆程度也可以看出，麒麟9000s无疑是成功的，虽然工艺落后 4 年，但性能只落后 2 年多，未来差距只会越来越小。
总的来说，华为麒麟9000s芯片突破的战略意义不仅在于提升国内半导体产业链的成熟速度和竞争力，更在于推动全球半导体产业格局的变化，打破技术封锁和制裁，促进国内科技创新的发展。
